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IGBT模塊的滄州適用功率小至幾百瓦，高至數(shù)兆瓦。模滿意這些產(chǎn)品可用于通用驅動器、塊供客戶牽引、應商伺服裝置和可再生能源發(fā)電（如光伏逆變器或風電應用）等應用，度高具有高可靠性、滄州出色性能、模滿意率和使用壽命長的塊供客戶優(yōu)勢。IGBT模塊采用預涂熱界面材料（TIM），應商能讓電力電子應用實現(xiàn)一致性的度高散熱性能。

作為新型功率半導體器件的滄州主流器件，IGBT已廣泛應用于工業(yè)、模滿意4C（通信、塊供客戶計算機、應商消費電子、度高汽車電子）、航空航天、國防軍工等傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)領域，以及軌道交通、新能源、智能電網(wǎng)、新能源汽車等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)領域。

IGBT一般分為IGBT單管和IGBT模塊。簡而言之IGBT電流密度高且功耗低，能夠提高能效、降低散熱需求，從而有效降低整體系統(tǒng)成本。它們廣泛應用于通用逆變器、太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）、感應加熱設備、大型家電、焊接以及開關電源（SMPS）等領域。

在IGBT使用過程中，可以通過控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓UGE的大小，從而實現(xiàn)對IGBT導通/關斷/阻斷狀態(tài)的控制。

1）當IGBT柵-射極加上加0或負電壓時，MOSFET內(nèi)溝道消失，IGBT呈關斷狀態(tài)。

2）當集-射極電壓UCE＜0時，J3的PN結處于反偏，IGBT呈反向阻斷狀態(tài)。

3）當集-射極電壓UCE＞0時，分兩種情況：

若柵-射極電壓UGE＜Uth，溝道不能形成，IGBT呈正向阻斷狀態(tài)。

若柵-射極電壓UGE＞Uth ，柵極溝道形成，IGBT呈導通狀態(tài)（正常工作）。此時，空穴從P+區(qū)注入到N基區(qū)進行電導調(diào)制，減少N基區(qū)電阻RN的值，使IGBT通態(tài)壓降降低。