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GTR飽和壓降低，秦皇載流密度大，格性高經(jīng)但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，價比久耐開關(guān)速度快，秦皇但導(dǎo)通壓降大，格性高經(jīng)載流密度小。價比久耐IGBT綜合了以上兩種器件的秦皇優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。格性高經(jīng)非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的價比久耐變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、秦皇開關(guān)電源、格性高經(jīng)照明電路、價比久耐牽引傳動等領(lǐng)域。秦皇

IGBT 的格性高經(jīng)開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，價比久耐使IGBT 導(dǎo)通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關(guān)斷。IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。

IGBT模塊是由IGBT與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品，具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。IGBT是能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)暮诵钠骷请娏﹄娮友b置的“CPU” 。采用IGBT進(jìn)行功率變換，能夠提高用電效率和質(zhì)量，具有節(jié)能和綠色環(huán)保的特點(diǎn)，是解決能源短缺問題和降低碳排放的關(guān)鍵支撐技術(shù)。

IGBT模塊主要用于變頻器逆變和其他逆變電路。將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的交流電。它有陰極，陽極，和控制極。關(guān)斷的時候其阻抗是非常大的基本是斷路，接通的時候存在很小的電阻，通過接通或斷開控制極來控制陰極和陽極之間的接通和關(guān)斷。