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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，滄州絕緣柵雙極型晶體管，動(dòng)制是造業(yè)由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的界口高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

IGBT的碑良開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，滄州使IGBT 導(dǎo)通。動(dòng)制反之，造業(yè)加反向門極電壓消除溝道，界口切斷基極電流，碑良使IGBT 關(guān)斷。滄州IGBT 的動(dòng)制驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，造業(yè)所以具有高輸入阻抗特性。界口當(dāng)MOSFET 的碑良溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的空穴（少子），對(duì)N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，減小N 一層的電阻，使IGBT 在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓。

IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用主要是將單片機(jī)脈沖輸出的功率進(jìn)行放大，以達(dá)到驅(qū)動(dòng)IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩(wěn)定、工作的前提，驅(qū)動(dòng)電路起到至關(guān)重要的作用。IGBT是MOSFET管與雙極晶體管的復(fù)合器件，既有MOSFET易驅(qū)動(dòng)的優(yōu)點(diǎn)，又具有功率晶體管電壓、電流容量大等優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOSFET管與功率晶體管之間，可正常工作于數(shù)十千赫茲的頻率范圍內(nèi)。

IGBT的開關(guān)時(shí)間應(yīng)綜合考慮?？焖匍_通和關(guān)斷有利于提高工作頻率，減小開關(guān)損耗。但在大電感負(fù)載下，IGBT的開頻率不宜過大，因?yàn)楦咚匍_斷和關(guān)斷會(huì)產(chǎn)生很高的尖峰電壓，及有可能造成IGBT自身或其他元件擊穿。

IGBT開通后，驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)提供足夠的電壓、電流幅值，使IGBT在正常工作及過載情況下不致退出飽和而損壞。