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IGBT驅(qū)動電路的唐山作用主要是將單片機脈沖輸出的功率進行放大，以達到驅(qū)動IGBT功率器件的市I受客目的。在保證IGBT器件可靠、動制穩(wěn)定、造廣工作的戶好前提，驅(qū)動電路起到至關重要的唐山作用。IGBT是市I受客MOSFET管與雙極晶體管的復合器件，既有MOSFET易驅(qū)動的動制優(yōu)點，又具有功率晶體管電壓、造廣電流容量大等優(yōu)點，戶好其頻率特性介于MOSFET管與功率晶體管之間，唐山可正常工作于數(shù)十千赫茲的市I受客頻率范圍內(nèi)。

采用脈沖變壓器隔離驅(qū)動IGBT，動制該方式是造廣利用變壓器的工作原理，由次級感應電壓直接驅(qū)動IGBT，戶好如上圖1所示。由于變壓器具有阻抗變換與隔離作用，所以這種驅(qū)動方式不僅簡化了驅(qū)動電路，還解決了驅(qū)動電路的供電與 IGBT不共地的連接問題。

采用光耦合器及CMOS 驅(qū)動IGBT，該電路自身帶過流保護功能，光耦合器將脈沖控制電路與驅(qū)動電路隔離，4011 的四個與非門并聯(lián)工作提高了驅(qū)動能力，互補晶體管V1、V2 降低驅(qū)動電路阻抗，通過R1、C1 與R2、C2 獲得不同的正、反向驅(qū)動電壓，以滿足各種IGBT 對柵極驅(qū)動電壓的要求。該電路由于受光耦合器傳輸速度的影響，其工作頻率不能太高，同時受4011 型CMOS電路工作電壓的限制，使+VGE 和-VGE 的幅值相互牽制，并受到限制。

在IGBT關斷期間，由于電路中其他部分的工作，會在柵極電路中產(chǎn)生一些高頻振蕩信號，這些信號輕則會使本該截止的IGBT處于微通狀態(tài)，增加管子的功耗。重則將使調(diào)壓電路處于短路直通狀態(tài)。因此，給處于截止狀態(tài)的IGBT加一反向柵壓(幅值一般為5～15 V)，使IGBT在柵極出現(xiàn)開關噪聲時仍能可靠截止。