價(jià) 格：面議

供IGBT使用的莊I質(zhì)優(yōu)驅(qū)動(dòng)電路形式多種多樣 ,各自的功能也不盡相同。從綜合的格品觀點(diǎn)看 ,還沒有一種十全十美的電路。從電路隔離方式看，比高IGBT驅(qū)動(dòng)器可分成兩大類,莊I質(zhì)優(yōu)一類采用光電耦合器,另一類采用脈沖變壓器,兩者均可實(shí)現(xiàn)信號(hào)的傳輸及電路的隔離。

IGBT的格品開關(guān)時(shí)間應(yīng)綜合考慮?？焖匍_通和關(guān)斷有利于提高工作頻率，比高減小開關(guān)損耗。莊I質(zhì)優(yōu)但在大電感負(fù)載下，格品IGBT的比高開頻率不宜過大，因?yàn)楦咚匍_斷和關(guān)斷會(huì)產(chǎn)生很高的莊I質(zhì)優(yōu)尖峰電壓，及有可能造成IGBT自身或其他元件擊穿。格品

IGBT開通后，比高驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)提供足夠的莊I質(zhì)優(yōu)電壓、電流幅值，格品使IGBT在正常工作及過載情況下不致退出飽和而損壞。比高

我公司專業(yè)提供IGBT驅(qū)動(dòng)，歡迎來電咨詢。驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)具有較強(qiáng)的抗干擾能力及對(duì)IGBT的保護(hù)功能。IGBT的控制、驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路等應(yīng)與其高速開關(guān)特性相匹配，另外，在未采取適當(dāng)?shù)姆漓o電措施情況下，G -- E斷不能開路。

IGBT是MOSFET管與雙極晶體管的復(fù)合器件，既有MOSFET易驅(qū)動(dòng)的優(yōu)點(diǎn)，又具有功率晶體管電壓、電流容量大等優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOSFET管與功率晶體管之間，可正常工作于數(shù)十千赫茲的頻率范圍內(nèi)。為了讓IGBT、可靠地工作，其柵極應(yīng)連接與之匹配的驅(qū)動(dòng)電路。