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GTR飽和壓降低，北京比高載流密度大，塊供但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，應(yīng)商開關(guān)速度快，經(jīng)久但導(dǎo)通壓降大，耐用載流密度小。北京比高IGBT綜合了以上兩種器件的塊供優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。應(yīng)商非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的經(jīng)久變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、耐用開關(guān)電源、北京比高照明電路、塊供牽引傳動等領(lǐng)域。應(yīng)商

IGBT是經(jīng)久一種適合高電壓、大電流應(yīng)用的耐用理想晶體管。IGBT的額定電壓范圍為400V至2000V，額定電流范圍為5A至1000A，IGBT廣泛用于工業(yè)應(yīng)用（例如，逆變器系統(tǒng)和不間斷電源（UPS））、消費類應(yīng)用（例如，空調(diào)和電磁爐），以及車載應(yīng)用（例如，電動汽車（EV）電機控制器）。

IGBT一般分為IGBT單管和IGBT模塊。簡而言之IGBT電流密度高且功耗低，能夠提高能效、降低散熱需求，從而有效降低整體系統(tǒng)成本。它們廣泛應(yīng)用于通用逆變器、太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）、感應(yīng)加熱設(shè)備、大型家電、焊接以及開關(guān)電源（SMPS）等領(lǐng)域。

熱限制就是我們脈沖功率，時間比較短，它可能不是一個長期的工作點，可能突然增加，這個時候就涉及到另外一個指標，動態(tài)熱阻，我們叫做熱阻抗。這個波動量會直接影響到IGBT的可靠性，就是壽命問題。你可以看到50赫茲波動量非常小，這個壽命才長。