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GTR飽和壓降低，北京載流密度大，塊供但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，應用開關速度快，心服但導通壓降大，每位客載流密度小。北京IGBT綜合了以上兩種器件的塊供優(yōu)點，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。應用非常適合應用于直流電壓為600V及以上的心服變流系統(tǒng)如交流電機、變頻器、每位客開關電源、北京照明電路、塊供牽引傳動等領域。應用
IGBT 的心服開關作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，每位客使IGBT 導通。反之，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流，使IGBT 關斷。IGBT 的驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，所以具有高輸入阻抗特性。
IGBT廣泛應用于智能電網(wǎng)的發(fā)電端、輸電端、變電端及用電端：
從發(fā)電端來看，風力發(fā)電、光伏發(fā)電中的整流器和逆變器都需要使用IGBT模塊。
從輸電端來看，特高壓直流輸電中FACTS柔性輸電技術需要大量使用IGBT等功率器件。
從變電端來看，IGBT是電力電子變壓器（PET）的關鍵器件。
從用電端來看，家用白電、微波爐、LED照明驅(qū)動等都對IGBT有大量的需求。
IGBT電路是負責變頻器功率輸出的部分。通常包含IGBT模塊和IGBT的觸發(fā)電路和電流反饋元件。觸發(fā)電路包含隔離變壓器、整流二極管、光耦隔離芯片，根據(jù)使用IGBT模塊型號，有些需使用配套的觸發(fā)驅(qū)動芯片以及保護電路。
（作者：產(chǎn)品中心）