價(jià) 格：面議

按照封裝工藝來看，北京IGBT模塊主要可分為焊接式與壓接式兩類。市批高壓IGBT模塊一般以標(biāo)準(zhǔn)焊接式封裝為主，塊品靠中低壓IGBT模塊則出現(xiàn)了很多新技術(shù)，質(zhì)優(yōu)如燒結(jié)取代焊接，良誠(chéng)壓力接觸取代引線鍵合的北京壓接式封裝工藝。

IGBT一般分為IGBT單管和IGBT模塊。市批簡(jiǎn)而言之IGBT電流密度高且功耗低，塊品靠能夠提高能效、質(zhì)優(yōu)降低散熱需求，良誠(chéng)從而有效降低整體系統(tǒng)成本。北京它們廣泛應(yīng)用于通用逆變器、市批太陽(yáng)能逆變器、塊品靠不間斷電源（UPS）、質(zhì)優(yōu)感應(yīng)加熱設(shè)備、良誠(chéng)大型家電、焊接以及開關(guān)電源（SMPS）等領(lǐng)域。

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡(jiǎn)單講，是一個(gè)非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能，導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線，斷開時(shí)當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，如驅(qū)動(dòng)功率小和飽和壓降低等。

熱限制就是我們脈沖功率，時(shí)間比較短，它可能不是一個(gè)長(zhǎng)期的工作點(diǎn)，可能突然增加，這個(gè)時(shí)候就涉及到另外一個(gè)指標(biāo)，動(dòng)態(tài)熱阻，我們叫做熱阻抗。這個(gè)波動(dòng)量會(huì)直接影響到IGBT的可靠性，就是壽命問題。你可以看到50赫茲波動(dòng)量非常小，這個(gè)壽命才長(zhǎng)。