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SiC 二極管并聯(lián)使用：

當(dāng)流過SiC 二極管電流增大時溫度升高，SiCVf會增加，極管特性相當(dāng)于負反饋，SiC所以可以并聯(lián)使用。極管特性

使用同一批次，SiC減小生產(chǎn)誤差帶來的極管特性不一致。

SiC 二極管串聯(lián)使用：

反向時因為漏電流不一致，SiC加平衡電阻也沒有太大的極管特性效果，端子間電容在突然加電時，SiC承受電壓不一致，極管特性所以不推薦串聯(lián)使用。SiC

SiC二極管反向恢復(fù)的極管特性Irrm、trr、SiCQrr 僅為 FRD 的極管特性 1/3、1/10 至 1/20、SiC1/20 至 1/30

SiC二極管反向恢復(fù)特性幾乎不受溫度和電流的影響, 隨di/dt升高Irrm和Qrr有所增加，trr有所減小

有利于變換器的效率提升、高頻化以提高功率密度， 同時還可以降低EMI干擾

使用SiC代替?zhèn)鹘y(tǒng)Si二極管的優(yōu)勢在于效率提高，產(chǎn)品尺寸更小；

在氮化鎵快充適配器中應(yīng)用碳化硅二極管，利用碳化硅二極管的極短反向恢復(fù)時間優(yōu)勢，配合氮化鎵的高速開關(guān)特性，可以提高PFC級的開關(guān)頻率，使用更小體積的電感滿足輸出功率。從而提高適配器功率密度，滿足大功率適配器的小體積要求。