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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，北京絕緣柵雙極型晶體管，市I受客是動生由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的產(chǎn)廣高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。

IGBT驅動電路的戶好作用主要是將單片機脈沖輸出的功率進行放大，以達到驅動IGBT功率器件的北京目的。在保證IGBT器件可靠、市I受客穩(wěn)定、動生工作的產(chǎn)廣前提，驅動電路起到至關重要的戶好作用。IGBT是北京MOSFET管與雙極晶體管的復合器件，既有MOSFET易驅動的市I受客優(yōu)點，又具有功率晶體管電壓、動生電流容量大等優(yōu)點，產(chǎn)廣其頻率特性介于MOSFET管與功率晶體管之間，戶好可正常工作于數(shù)十千赫茲的頻率范圍內(nèi)。

采用光耦合器及CMOS 驅動IGBT，該電路自身帶過流保護功能，光耦合器將脈沖控制電路與驅動電路隔離，4011 的四個與非門并聯(lián)工作提高了驅動能力，互補晶體管V1、V2 降低驅動電路阻抗，通過R1、C1 與R2、C2 獲得不同的正、反向驅動電壓，以滿足各種IGBT 對柵極驅動電壓的要求。該電路由于受光耦合器傳輸速度的影響，其工作頻率不能太高，同時受4011 型CMOS電路工作電壓的限制，使+VGE 和-VGE 的幅值相互牽制，并受到限制。

IGBT 的驅動條件與它的靜態(tài)和動態(tài)特性密切相關。柵極的正偏壓+VGE、負偏壓-VGE 和柵極電阻RG 的大小，對IGBT 的通態(tài)電壓、開關時間、開關損耗、承受短路能力以及dVCE/dt等參數(shù)都有不同程度的影響。