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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，秦皇絕緣柵雙極型晶體管，塊出是售用由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。

IGBT是心服一種適合高電壓、大電流應(yīng)用的每位客理想晶體管。IGBT的秦皇額定電壓范圍為400V至2000V，額定電流范圍為5A至1000A，塊出IGBT廣泛用于工業(yè)應(yīng)用（例如，售用逆變器系統(tǒng)和不間斷電源（UPS））、心服消費類應(yīng)用（例如，每位客空調(diào)和電磁爐），秦皇以及車載應(yīng)用（例如，塊出電動汽車（EV）電機(jī)控制器）。售用

IGBT廣泛應(yīng)用于智能電網(wǎng)的心服發(fā)電端、輸電端、每位客變電端及用電端：

從發(fā)電端來看，風(fēng)力發(fā)電、光伏發(fā)電中的整流器和逆變器都需要使用IGBT模塊。

從輸電端來看，特高壓直流輸電中FACTS柔性輸電技術(shù)需要大量使用IGBT等功率器件。

從變電端來看，IGBT是電力電子變壓器（PET）的關(guān)鍵器件。

從用電端來看，家用白電、微波爐、LED照明驅(qū)動等都對IGBT有大量的需求。

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡單講，是一個非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能，導(dǎo)通時可以看做導(dǎo)線，斷開時當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點，如驅(qū)動功率小和飽和壓降低等。