價(jià) 格：面議

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，滄州絕緣柵雙極型晶體管，市I售性是塊出由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

作為新型功率半導(dǎo)體器件的價(jià)比久耐主流器件，IGBT已廣泛應(yīng)用于工業(yè)、高經(jīng)4C（通信、滄州計(jì)算機(jī)、市I售性消費(fèi)電子、塊出汽車電子）、價(jià)比久耐航空航天、高經(jīng)國(guó)防軍工等傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，滄州以及軌道交通、市I售性新能源、塊出智能電網(wǎng)、價(jià)比久耐新能源汽車等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。高經(jīng)

IGBT一般分為IGBT單管和IGBT模塊。簡(jiǎn)而言之IGBT電流密度高且功耗低，能夠提高能效、降低散熱需求，從而有效降低整體系統(tǒng)成本。它們廣泛應(yīng)用于通用逆變器、太陽能逆變器、不間斷電源（UPS）、感應(yīng)加熱設(shè)備、大型家電、焊接以及開關(guān)電源（SMPS）等領(lǐng)域。

IGBT模塊是由IGBT與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品，具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。IGBT是能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，是電力電子裝置的“CPU” 。采用IGBT進(jìn)行功率變換，能夠提高用電效率和質(zhì)量，具有節(jié)能和綠色環(huán)保的特點(diǎn)，是解決能源短缺問題和降低碳排放的關(guān)鍵支撐技術(shù)。