精品视频亚洲一区二区,狠狠狠一区二区三区熟,尹在国产香蕉在线视频,在车里被撞了八次高黄

價(jià) 格：面議

IGBT驅(qū)動(dòng)電路是保定比高驅(qū)動(dòng)IGBT模塊以能讓其正常工作，并同時(shí)對(duì)其進(jìn)行保護(hù)的動(dòng)提電路。在實(shí)際使用中除IGBT自身外，供品IGBT 驅(qū)動(dòng)器的質(zhì)優(yōu)作用對(duì)整個(gè)換流系統(tǒng)來(lái)說(shuō)同樣至關(guān)重要。驅(qū)動(dòng)器的保定比高選擇及輸出功率的計(jì)算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。

IGBT驅(qū)動(dòng)電路的動(dòng)提作用主要是將單片機(jī)脈沖輸出的功率進(jìn)行放大，以達(dá)到驅(qū)動(dòng)IGBT功率器件的供品目的。在保證IGBT器件可靠、質(zhì)優(yōu)穩(wěn)定、保定比高工作的動(dòng)提前提，驅(qū)動(dòng)電路起到至關(guān)重要的供品作用。IGBT是質(zhì)優(yōu)MOSFET管與雙極晶體管的復(fù)合器件，既有MOSFET易驅(qū)動(dòng)的保定比高優(yōu)點(diǎn)，又具有功率晶體管電壓、動(dòng)提電流容量大等優(yōu)點(diǎn)，供品其頻率特性介于MOSFET管與功率晶體管之間，可正常工作于數(shù)十千赫茲的頻率范圍內(nèi)。

IGBT驅(qū)動(dòng)電路中的電阻G對(duì)工作性能有較大的影響，G較大，有利于抑制IGBT的電流上升率及電壓上升率，但會(huì)增加IGBT的開關(guān)時(shí)間和開關(guān)損20耗；Rc較小，會(huì)引起電流上升率增大，使IGBT誤導(dǎo)通或損壞。Rc的具體數(shù)據(jù)與驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)及IGBT的容量有關(guān)，一般在幾歐～幾十歐，小容量的IGBT其Rc值較大。

IGBT是MOSFET管與雙極晶體管的復(fù)合器件，既有MOSFET易驅(qū)動(dòng)的優(yōu)點(diǎn)，又具有功率晶體管電壓、電流容量大等優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOSFET管與功率晶體管之間，可正常工作于數(shù)十千赫茲的頻率范圍內(nèi)。為了讓IGBT、可靠地工作，其柵極應(yīng)連接與之匹配的驅(qū)動(dòng)電路。