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GTR飽和壓降低,塊批口碑載流密度大,發(fā)擁但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,有良開關(guān)速度快,塊批口碑但導(dǎo)通壓降大,發(fā)擁載流密度小。有良IGBT綜合了以上兩種器件的塊批口碑優(yōu)點(diǎn),驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。發(fā)擁非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的有良變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、塊批口碑開關(guān)電源、發(fā)擁照明電路、有良牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。塊批口碑
IGBT電路是發(fā)擁負(fù)責(zé)變頻器功率輸出的部分。通常包含IGBT模塊和IGBT的有良觸發(fā)電路和電流反饋元件。觸發(fā)電路包含隔離變壓器、整流二極管、光耦隔離芯片,根據(jù)使用IGBT模塊型號,有些需使用配套的觸發(fā)驅(qū)動(dòng)芯片以及保護(hù)電路。
IGBT(絕緣柵雙極型晶體管),是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡單講,是一個(gè)非通即斷的開關(guān),IGBT沒有放大電壓的功能,導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線,斷開時(shí)當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn),如驅(qū)動(dòng)功率小和飽和壓降低等。
熱限制就是我們脈沖功率,時(shí)間比較短,它可能不是一個(gè)長期的工作點(diǎn),可能突然增加,這個(gè)時(shí)候就涉及到另外一個(gè)指標(biāo),動(dòng)態(tài)熱阻,我們叫做熱阻抗。這個(gè)波動(dòng)量會(huì)直接影響到IGBT的可靠性,就是壽命問題。你可以看到50赫茲波動(dòng)量非常小,這個(gè)壽命才長。