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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，秦皇T驅(qū)絕緣柵雙極型晶體管，島I動廠定性是靠穩(wěn)由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的秦皇T驅(qū)高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

IGBT的島I動廠定性開關(guān)時(shí)間應(yīng)綜合考慮?？焖匍_通和關(guān)斷有利于提高工作頻率，靠穩(wěn)減小開關(guān)損耗。秦皇T驅(qū)但在大電感負(fù)載下，島I動廠定性IGBT的靠穩(wěn)開頻率不宜過大，因?yàn)楦咚匍_斷和關(guān)斷會產(chǎn)生很高的秦皇T驅(qū)尖峰電壓，及有可能造成IGBT自身或其他元件擊穿。島I動廠定性

IGBT開通后，靠穩(wěn)驅(qū)動電路應(yīng)提供足夠的秦皇T驅(qū)電壓、電流幅值，島I動廠定性使IGBT在正常工作及過載情況下不致退出飽和而損壞?？糠€(wěn)

IGBT導(dǎo)通后的管壓降與所加?xùn)旁措妷河嘘P(guān)，在漏源電流一定的情況下，VGE越高，VDS值就越低，器件的導(dǎo)通損耗就越小，這有利于充分發(fā)揮管子的工作能力。但是， VGE并非越高越好，一般不允許超過20 V，原因是一旦發(fā)生過流或短路，柵壓越高，則電流幅值越高，IGBT損壞的可能性就越大。通常，綜合考慮取+15 V為宜。

IGBT驅(qū)動的兩個(gè)功能， 實(shí)現(xiàn)控制電路與被驅(qū)動IGBT柵極的電隔離;提供合適的柵極驅(qū)動脈沖。實(shí)現(xiàn)電隔離可采用脈沖變壓器、微分變壓器及光電耦合器。IGBT驅(qū)動電路的作用主要是將單片機(jī)脈沖輸出的功率進(jìn)行放大，以達(dá)到驅(qū)動IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩(wěn)定、工作的前提，驅(qū)動電路起到至關(guān)重要的作用。