上海冷熱沖擊試驗(yàn)箱集成電路的選用     DATE: 2024-11-25 02:57:58

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冷熱沖擊試驗(yàn)箱,上海試驗(yàn)二箱式冷熱沖擊試驗(yàn)箱,兩箱式冷熱沖擊試驗(yàn)箱廠家解析集成電路的選用。π1 數(shù)字集成電路標(biāo)準(zhǔn)系列主要適用于速度和功耗要求不嚴(yán)格的冷熱路電路,其典型的沖擊成電門功耗為10 mW ,傳輸延遲時(shí)間為10 ns ,箱集選用扇出系數(shù)為10 。上海試驗(yàn)低功耗數(shù)字電路主要用于功耗要求特別嚴(yán)格的冷熱路電路,其典型的沖擊成電門功耗為1 mW ,傳輸延遲時(shí)間為30 ns ,箱集選用可驅(qū)動(dòng)一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)門或10 個(gè)低功耗門。上海試驗(yàn)它允許較大的冷熱路組裝密度。由于工作電流較低,沖擊成電因而降低了噪音,箱集選用并可減少對(duì)電源的上海試驗(yàn)要求。

高速數(shù)字電路主要用于高速數(shù)字系統(tǒng),冷熱路其典型門功耗為23 mW ,沖擊成電傳輸延遲時(shí)間為6 ns ,可驅(qū)動(dòng)12 個(gè)π1 門或10 個(gè)高速門,肖特基型電路主要用于超高速數(shù)字處理系統(tǒng),其典型門功耗為19mW ,傳輸延遲時(shí)間為3 ns ,可驅(qū)動(dòng)12 個(gè)標(biāo)準(zhǔn)'ITL 門或10 個(gè)肖特基門。CMOS 數(shù)字電路主要用于功耗要求很嚴(yán)格而速度又不高的電路。其典型門功耗為10 μW( 10 kHz 時(shí)),傳輸延遲時(shí)間為50 ns ,可驅(qū)動(dòng)50 個(gè)MOS 門或1 個(gè)標(biāo)準(zhǔn)π1 門,噪音抗擾度為1. 5 V (而π1 電路抗擾度為0.4 V )。CMOS 電路適用于高噪音環(huán)境,電源電壓為3 v -15 v。線性集成電路主要適用于信號(hào)放大、控制和傳輸以及電壓調(diào)整。線性集成電路的失效模式主要有性能退化(約占83% )、引腳間開路(約占9% )或短路(約占7% )以及機(jī)理異常(約占1% )。