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IGBT 的太原開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，市供使IGBT 導(dǎo)通。應(yīng)I有良反之，塊擁口碑加反向門(mén)極電壓消除溝道，太原切斷基極電流，市供使IGBT 關(guān)斷。應(yīng)I有良IGBT 的塊擁口碑驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，太原所以具有高輸入阻抗特性。市供

IGBT是應(yīng)I有良一種適合高電壓、大電流應(yīng)用的塊擁口碑理想晶體管。IGBT的太原額定電壓范圍為400V至2000V，額定電流范圍為5A至1000A，市供IGBT廣泛用于工業(yè)應(yīng)用（例如，應(yīng)I有良逆變器系統(tǒng)和不間斷電源（UPS））、消費(fèi)類應(yīng)用（例如，空調(diào)和電磁爐），以及車載應(yīng)用（例如，電動(dòng)汽車（EV）電機(jī)控制器）。

IGBT模塊是由IGBT與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品，具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。IGBT是能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，是電力電子裝置的“CPU” 。采用IGBT進(jìn)行功率變換，能夠提高用電效率和質(zhì)量，具有節(jié)能和綠色環(huán)保的特點(diǎn)，是解決能源短缺問(wèn)題和降低碳排放的關(guān)鍵支撐技術(shù)。

熱限制就是我們脈沖功率，時(shí)間比較短，它可能不是一個(gè)長(zhǎng)期的工作點(diǎn)，可能突然增加，這個(gè)時(shí)候就涉及到另外一個(gè)指標(biāo)，動(dòng)態(tài)熱阻，我們叫做熱阻抗。這個(gè)波動(dòng)量會(huì)直接影響到IGBT的可靠性，就是壽命問(wèn)題。你可以看到50赫茲波動(dòng)量非常小，這個(gè)壽命才長(zhǎng)。