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供IGBT使用的滄州驅(qū)動(dòng)電路形式多種多樣 ,各自的功能也不盡相同。從綜合的市銷(xiāo)售觀點(diǎn)看 ,還沒(méi)有一種十全十美的電路。從電路隔離方式看,滿(mǎn)意們IGBT驅(qū)動(dòng)器可分成兩大類(lèi),追求一類(lèi)采用光電耦合器,另一類(lèi)采用脈沖變壓器,兩者均可實(shí)現(xiàn)信號(hào)的傳輸及電路的隔離。
采用光耦合器及CMOS 驅(qū)動(dòng)IGBT,滄州該電路自身帶過(guò)流保護(hù)功能,市銷(xiāo)售光耦合器將脈沖控制電路與驅(qū)動(dòng)電路隔離,滿(mǎn)意們4011 的追求四個(gè)與非門(mén)并聯(lián)工作提高了驅(qū)動(dòng)能力,互補(bǔ)晶體管V1、滄州V2 降低驅(qū)動(dòng)電路阻抗,市銷(xiāo)售通過(guò)R1、滿(mǎn)意們C1 與R2、追求C2 獲得不同的滄州正、反向驅(qū)動(dòng)電壓,市銷(xiāo)售以滿(mǎn)足各種IGBT 對(duì)柵極驅(qū)動(dòng)電壓的滿(mǎn)意們要求。該電路由于受光耦合器傳輸速度的影響,其工作頻率不能太高,同時(shí)受4011 型CMOS電路工作電壓的限制,使+VGE 和-VGE 的幅值相互牽制,并受到限制。
IGBT導(dǎo)通后的管壓降與所加?xùn)旁措妷河嘘P(guān),在漏源電流一定的情況下,VGE越高,VDS值就越低,器件的導(dǎo)通損耗就越小,這有利于充分發(fā)揮管子的工作能力。但是, VGE并非越高越好,一般不允許超過(guò)20 V,原因是一旦發(fā)生過(guò)流或短路,柵壓越高,則電流幅值越高,IGBT損壞的可能性就越大。通常,綜合考慮取+15 V為宜。
IGBT驅(qū)動(dòng)的兩個(gè)功能, 實(shí)現(xiàn)控制電路與被驅(qū)動(dòng)IGBT柵極的電隔離;提供合適的柵極驅(qū)動(dòng)脈沖。實(shí)現(xiàn)電隔離可采用脈沖變壓器、微分變壓器及光電耦合器。IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用主要是將單片機(jī)脈沖輸出的功率進(jìn)行放大,以達(dá)到驅(qū)動(dòng)IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩(wěn)定、工作的前提,驅(qū)動(dòng)電路起到至關(guān)重要的作用。
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