價(jià) 格：面議

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，保定絕緣柵雙極型晶體管，塊制是造選擇們由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

IGBT電路是選擇負(fù)責(zé)變頻器功率輸出的部分。通常包含IGBT模塊和IGBT的放心觸發(fā)電路和電流反饋元件。觸發(fā)電路包含隔離變壓器、保定整流二極管、塊制光耦隔離芯片，造選擇們根據(jù)使用IGBT模塊型號，選擇有些需使用配套的放心觸發(fā)驅(qū)動芯片以及保護(hù)電路。

IGBT模塊是保定由IGBT與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品，具有節(jié)能、塊制安裝維修方便、造選擇們散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。選擇IGBT是放心能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，是電力電子裝置的“CPU” 。采用IGBT進(jìn)行功率變換，能夠提高用電效率和質(zhì)量，具有節(jié)能和綠色環(huán)保的特點(diǎn)，是解決能源短缺問題和降低碳排放的關(guān)鍵支撐技術(shù)。

IGBT模塊主要用于變頻器逆變和其他逆變電路。將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的交流電。它有陰極，陽極，和控制極。關(guān)斷的時(shí)候其阻抗是非常大的基本是斷路，接通的時(shí)候存在很小的電阻，通過接通或斷開控制極來控制陰極和陽極之間的接通和關(guān)斷。