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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，唐山絕緣柵雙極型晶體管，塊制口碑是造擁由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

從功能上來說，有良IGBT就是唐山一個(gè)電路開關(guān)，優(yōu)點(diǎn)就是塊制口碑用電壓控制，飽和壓降小，造擁耐壓高。有良用在電壓幾十到幾百伏量級(jí)、唐山電流幾十到幾百安量級(jí)的塊制口碑強(qiáng)電上的。而且IGBT不用機(jī)械按鈕，造擁它是有良由計(jì)算機(jī)控制的。所以有了IGBT這種開關(guān)，唐山就可以設(shè)計(jì)出一類電路，塊制口碑通過計(jì)算機(jī)控制IGBT，造擁把電源側(cè)的交流電變成給定電壓的直流電，或是把各種電變成所需頻率的交流電，給負(fù)載使用。這類電路統(tǒng)稱變換器。

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡(jiǎn)單講，是一個(gè)非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能，導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線，斷開時(shí)當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，如驅(qū)動(dòng)功率小和飽和壓降低等。

熱限制就是我們脈沖功率，時(shí)間比較短，它可能不是一個(gè)長(zhǎng)期的工作點(diǎn)，可能突然增加，這個(gè)時(shí)候就涉及到另外一個(gè)指標(biāo)，動(dòng)態(tài)熱阻，我們叫做熱阻抗。這個(gè)波動(dòng)量會(huì)直接影響到IGBT的可靠性，就是壽命問題。你可以看到50赫茲波動(dòng)量非常小，這個(gè)壽命才長(zhǎng)。