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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，莊供質(zhì)優(yōu)絕緣柵雙極型晶體管，塊品靠是良誠由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

GTR飽和壓降低，莊供質(zhì)優(yōu)載流密度大，塊品靠但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，良誠開關(guān)速度快，莊供質(zhì)優(yōu)但導(dǎo)通壓降大，塊品靠載流密度小。良誠IGBT綜合了以上兩種器件的莊供質(zhì)優(yōu)優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。塊品靠非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的良誠變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、莊供質(zhì)優(yōu)開關(guān)電源、塊品靠照明電路、良誠牽引傳動等領(lǐng)域。

IGBT模塊是由IGBT與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導(dǎo)體產(chǎn)品，具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點(diǎn)。IGBT是能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)暮诵钠骷请娏﹄娮友b置的“CPU” 。采用IGBT進(jìn)行功率變換，能夠提高用電效率和質(zhì)量，具有節(jié)能和綠色環(huán)保的特點(diǎn)，是解決能源短缺問題和降低碳排放的關(guān)鍵支撐技術(shù)。

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡單講，是一個非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能，導(dǎo)通時可以看做導(dǎo)線，斷開時當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，如驅(qū)動功率小和飽和壓降低等。