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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，唐山絕緣柵雙極型晶體管，塊供是應(yīng)放由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。

IGBT一般分為IGBT單管和IGBT模塊。心的選擇簡而言之IGBT電流密度高且功耗低，唐山能夠提高能效、塊供降低散熱需求，應(yīng)放從而有效降低整體系統(tǒng)成本。心的選擇它們廣泛應(yīng)用于通用逆變器、唐山太陽能逆變器、塊供不間斷電源（UPS）、應(yīng)放感應(yīng)加熱設(shè)備、心的選擇大型家電、唐山焊接以及開關(guān)電源（SMPS）等領(lǐng)域。塊供

IGBT模塊是應(yīng)放由IGBT與FWD（續(xù)流二極管芯片）通過特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產(chǎn)品，具有節(jié)能、安裝維修方便、散熱穩(wěn)定等特點。IGBT是能源轉(zhuǎn)換與傳輸?shù)暮诵钠骷?，是電力電子裝置的“CPU” 。采用IGBT進行功率變換，能夠提高用電效率和質(zhì)量，具有節(jié)能和綠色環(huán)保的特點，是解決能源短缺問題和降低碳排放的關(guān)鍵支撐技術(shù)。

熱限制就是我們脈沖功率，時間比較短，它可能不是一個長期的工作點，可能突然增加，這個時候就涉及到另外一個指標，動態(tài)熱阻，我們叫做熱阻抗。這個波動量會直接影響到IGBT的可靠性，就是壽命問題。你可以看到50赫茲波動量非常小，這個壽命才長。