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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，北京絕緣柵雙極型晶體管，塊制是造放由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

IGBT電路是心的選擇負(fù)責(zé)變頻器功率輸出的部分。通常包含IGBT模塊和IGBT的北京觸發(fā)電路和電流反饋元件。觸發(fā)電路包含隔離變壓器、塊制整流二極管、造放光耦隔離芯片，心的選擇根據(jù)使用IGBT模塊型號(hào)，北京有些需使用配套的塊制觸發(fā)驅(qū)動(dòng)芯片以及保護(hù)電路。

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），造放是心的選擇由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動(dòng)式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡單講，北京是塊制一個(gè)非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的造放功能，導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線，斷開時(shí)當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，如驅(qū)動(dòng)功率小和飽和壓降低等。

熱限制就是我們脈沖功率，時(shí)間比較短，它可能不是一個(gè)長期的工作點(diǎn)，可能突然增加，這個(gè)時(shí)候就涉及到另外一個(gè)指標(biāo)，動(dòng)態(tài)熱阻，我們叫做熱阻抗。這個(gè)波動(dòng)量會(huì)直接影響到IGBT的可靠性，就是壽命問題。你可以看到50赫茲波動(dòng)量非常小，這個(gè)壽命才長。