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提供適當(dāng)?shù)谋本┱聪螂妷?,使IGBT能可靠地開通和關(guān)斷。動(dòng)廠當(dāng)正偏壓增大時(shí)IGBT通態(tài)壓降和開通損耗均下降,家信但若ce過大,選擇則負(fù)載短路時(shí)其c隨ce增大而增大,北京對其不利,動(dòng)廠使用中選GE《15V為好。家信負(fù)偏電壓可防止由于關(guān)斷時(shí)浪涌電流過大而使IGBT誤導(dǎo)通,選擇一般選UGE -- 5V為宜。北京
IGBT驅(qū)動(dòng)電路中的動(dòng)廠電阻G對工作性能有較大的影響,G較大,家信有利于抑制IGBT的選擇電流上升率及電壓上升率,但會(huì)增加IGBT的北京開關(guān)時(shí)間和開關(guān)損20耗;Rc較小,會(huì)引起電流上升率增大,動(dòng)廠使IGBT誤導(dǎo)通或損壞。家信Rc的具體數(shù)據(jù)與驅(qū)動(dòng)電路的結(jié)構(gòu)及IGBT的容量有關(guān),一般在幾歐~幾十歐,小容量的IGBT其Rc值較大。
我公司專業(yè)提供IGBT驅(qū)動(dòng),歡迎來電咨詢。驅(qū)動(dòng)電路應(yīng)具有較強(qiáng)的抗干擾能力及對IGBT的保護(hù)功能。IGBT的控制、驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路等應(yīng)與其高速開關(guān)特性相匹配,另外,在未采取適當(dāng)?shù)姆漓o電措施情況下,G -- E斷不能開路。
采用光耦合器及CMOS 驅(qū)動(dòng)IGBT,該電路自身帶過流保護(hù)功能,光耦合器將脈沖控制電路與驅(qū)動(dòng)電路隔離,4011 的四個(gè)與非門并聯(lián)工作提高了驅(qū)動(dòng)能力,互補(bǔ)晶體管V1、V2 降低驅(qū)動(dòng)電路阻抗,通過R1、C1 與R2、C2 獲得不同的正、反向驅(qū)動(dòng)電壓,以滿足各種IGBT 對柵極驅(qū)動(dòng)電壓的要求。該電路由于受光耦合器傳輸速度的影響,其工作頻率不能太高,同時(shí)受4011 型CMOS電路工作電壓的限制,使+VGE 和-VGE 的幅值相互牽制,并受到限制。