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IGBT的秦皇T驅(qū)開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，島I動制使IGBT 導(dǎo)通。造的追求反之，滿意們加反向門極電壓消除溝道，秦皇T驅(qū)切斷基極電流，島I動制使IGBT 關(guān)斷。造的追求IGBT 的滿意們驅(qū)動方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，秦皇T驅(qū)所以具有高輸入阻抗特性。島I動制當(dāng)MOSFET 的造的追求溝道形成后，從P+ 基極注入到N 一層的滿意們空穴（少子），對N 一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制，秦皇T驅(qū)減小N 一層的島I動制電阻，使IGBT 在高電壓時(shí)，造的追求也具有低的通態(tài)電壓。

igbt驅(qū)動器是驅(qū)動igbt并對其整體性能進(jìn)行調(diào)控的裝置，它不僅影響了igbt 的動態(tài)性能，同時(shí)也影響系統(tǒng)的成本和可靠性。驅(qū)動器的選擇及輸出功率的計(jì)算決定了換流系統(tǒng)的可靠性。驅(qū)動器功率不足或選擇錯(cuò)誤可能會直接導(dǎo)致 igbt 和驅(qū)動器損壞。

IGBT的開關(guān)時(shí)間應(yīng)綜合考慮?？焖匍_通和關(guān)斷有利于提高工作頻率，減小開關(guān)損耗。但在大電感負(fù)載下，IGBT的開頻率不宜過大，因?yàn)楦咚匍_斷和關(guān)斷會產(chǎn)生很高的尖峰電壓，及有可能造成IGBT自身或其他元件擊穿。

IGBT開通后，驅(qū)動電路應(yīng)提供足夠的電壓、電流幅值，使IGBT在正常工作及過載情況下不致退出飽和而損壞。

IGBT驅(qū)動電路中的電阻G對工作性能有較大的影響，G較大，有利于抑制IGBT的電流上升率及電壓上升率，但會增加IGBT的開關(guān)時(shí)間和開關(guān)損20耗；Rc較小，會引起電流上升率增大，使IGBT誤導(dǎo)通或損壞。Rc的具體數(shù)據(jù)與驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)及IGBT的容量有關(guān)，一般在幾歐～幾十歐，小容量的IGBT其Rc值較大。