價(jià) 格：面議

IGBT 的保定開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道，給PNP 晶體管提供基極電流，塊供使IGBT 導(dǎo)通。應(yīng)專(zhuān)業(yè)品反之，質(zhì)值加反向門(mén)極電壓消除溝道，得信切斷基極電流，保定使IGBT 關(guān)斷。塊供IGBT 的應(yīng)專(zhuān)業(yè)品驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET 基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET ，質(zhì)值所以具有高輸入阻抗特性。得信

按照封裝工藝來(lái)看，保定IGBT模塊主要可分為焊接式與壓接式兩類(lèi)。塊供高壓IGBT模塊一般以標(biāo)準(zhǔn)焊接式封裝為主，應(yīng)專(zhuān)業(yè)品中低壓IGBT模塊則出現(xiàn)了很多新技術(shù)，質(zhì)值如燒結(jié)取代焊接，得信壓力接觸取代引線(xiàn)鍵合的壓接式封裝工藝。

IGBT器件已成為軌道交通車(chē)輛牽引變流器和各種輔助變流器的主流電力電子器件。交流傳動(dòng)技術(shù)是現(xiàn)代軌道交通的核心技術(shù)之一，在交流傳動(dòng)系統(tǒng)中牽引變流器是關(guān)鍵部件，而IGBT又是牽引變流器核心的器件之一。

三相380V輸入電壓經(jīng)過(guò)整流和濾波后，直流母線(xiàn)電壓的值：在開(kāi)關(guān)工作的條件下，IGBT的額定電壓一般要求高于直流母線(xiàn)電壓的兩倍，根據(jù)IGBT規(guī)格的電壓等級(jí)，選擇1200V電壓等級(jí)的IGBT。

以30kW變頻器為例，負(fù)載電流約為79A，由于負(fù)載電氣啟動(dòng)或加速時(shí)，電流過(guò)載，一般要求1分鐘的時(shí)間內(nèi)，承受1.5倍的過(guò)流，擇負(fù)載電流約為119A ，建議選擇150A電流等級(jí)的IGBT。