價(jià) 格：面議
IGBT模塊的天津適用功率小至幾百瓦，高至數(shù)兆瓦。塊制這些產(chǎn)品可用于通用驅(qū)動(dòng)器、造正牽引、規(guī)機(jī)構(gòu)性伺服裝置和可再生能源發(fā)電（如光伏逆變器或風(fēng)電應(yīng)用）等應(yīng)用，天津具有高可靠性、塊制出色性能、造正率和使用壽命長(zhǎng)的規(guī)機(jī)構(gòu)性優(yōu)勢(shì)。IGBT模塊采用預(yù)涂熱界面材料（TIM），天津能讓電力電子應(yīng)用實(shí)現(xiàn)一致性的塊制散熱性能。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，造正絕緣柵雙極型晶體管，規(guī)機(jī)構(gòu)性是天津由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。
IGBT電路是塊制負(fù)責(zé)變頻器功率輸出的部分。通常包含IGBT模塊和IGBT的造正觸發(fā)電路和電流反饋元件。觸發(fā)電路包含隔離變壓器、整流二極管、光耦隔離芯片，根據(jù)使用IGBT模塊型號(hào)，有些需使用配套的觸發(fā)驅(qū)動(dòng)芯片以及保護(hù)電路。
三相380V輸入電壓經(jīng)過(guò)整流和濾波后，直流母線電壓的值：在開(kāi)關(guān)工作的條件下，IGBT的額定電壓一般要求高于直流母線電壓的兩倍，根據(jù)IGBT規(guī)格的電壓等級(jí)，選擇1200V電壓等級(jí)的IGBT。
以30kW變頻器為例，負(fù)載電流約為79A，由于負(fù)載電氣啟動(dòng)或加速時(shí)，電流過(guò)載，一般要求1分鐘的時(shí)間內(nèi)，承受1.5倍的過(guò)流，擇負(fù)載電流約為119A ，建議選擇150A電流等級(jí)的IGBT。
（作者：新聞中心）