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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，北京絕緣柵雙極型晶體管，動制是造電由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅(qū)動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的流容量高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。

IGBT驅(qū)動電路中的北京電阻G對工作性能有較大的影響，G較大，動制有利于抑制IGBT的造電電流上升率及電壓上升率，但會增加IGBT的流容量開關(guān)時間和開關(guān)損20耗；Rc較小，會引起電流上升率增大，北京使IGBT誤導通或損壞。動制Rc的造電具體數(shù)據(jù)與驅(qū)動電路的結(jié)構(gòu)及IGBT的容量有關(guān)，一般在幾歐～幾十歐，流容量小容量的北京IGBT其Rc值較大。

采用光耦合器及CMOS 驅(qū)動IGBT，動制該電路自身帶過流保護功能，造電光耦合器將脈沖控制電路與驅(qū)動電路隔離，4011 的四個與非門并聯(lián)工作提高了驅(qū)動能力，互補晶體管V1、V2 降低驅(qū)動電路阻抗，通過R1、C1 與R2、C2 獲得不同的正、反向驅(qū)動電壓，以滿足各種IGBT 對柵極驅(qū)動電壓的要求。該電路由于受光耦合器傳輸速度的影響，其工作頻率不能太高，同時受4011 型CMOS電路工作電壓的限制，使+VGE 和-VGE 的幅值相互牽制，并受到限制。

IGBT是MOSFET管與雙極晶體管的復合器件，既有MOSFET易驅(qū)動的優(yōu)點，又具有功率晶體管電壓、電流容量大等優(yōu)點，其頻率特性介于MOSFET管與功率晶體管之間，可正常工作于數(shù)十千赫茲的頻率范圍內(nèi)。為了讓IGBT、可靠地工作，其柵極應連接與之匹配的驅(qū)動電路。