價(jià) 格：面議

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，太原絕緣柵雙極型晶體管，市I售業(yè)是動(dòng)出由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的界口高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。

提供適當(dāng)?shù)谋颊聪螂妷海笽GBT能可靠地開通和關(guān)斷。太原當(dāng)正偏壓增大時(shí)IGBT通態(tài)壓降和開通損耗均下降，市I售業(yè)但若ce過大，動(dòng)出則負(fù)載短路時(shí)其c隨ce增大而增大，界口對(duì)其不利，碑良使用中選GE《15V為好。太原負(fù)偏電壓可防止由于關(guān)斷時(shí)浪涌電流過大而使IGBT誤導(dǎo)通，市I售業(yè)一般選UGE -- 5V為宜。動(dòng)出

IGBT導(dǎo)通后的界口管壓降與所加?xùn)旁措妷河嘘P(guān)，在漏源電流一定的碑良情況下，VGE越高，VDS值就越低，器件的導(dǎo)通損耗就越小，這有利于充分發(fā)揮管子的工作能力。但是， VGE并非越高越好，一般不允許超過20 V，原因是一旦發(fā)生過流或短路，柵壓越高，則電流幅值越高，IGBT損壞的可能性就越大。通常，綜合考慮取+15 V為宜。

IGBT是MOSFET管與雙極晶體管的復(fù)合器件，既有MOSFET易驅(qū)動(dòng)的優(yōu)點(diǎn)，又具有功率晶體管電壓、電流容量大等優(yōu)點(diǎn)，其頻率特性介于MOSFET管與功率晶體管之間，可正常工作于數(shù)十千赫茲的頻率范圍內(nèi)。為了讓IGBT、可靠地工作，其柵極應(yīng)連接與之匹配的驅(qū)動(dòng)電路。