價(jià) 格：面議

IGBT模塊的太原適用功率小至幾百瓦，高至數(shù)兆瓦。格專這些產(chǎn)品可用于通用驅(qū)動(dòng)器、業(yè)品牽引、質(zhì)值伺服裝置和可再生能源發(fā)電（如光伏逆變器或風(fēng)電應(yīng)用）等應(yīng)用，得信具有高可靠性、太原出色性能、格專率和使用壽命長(zhǎng)的業(yè)品優(yōu)勢(shì)。IGBT模塊采用預(yù)涂熱界面材料（TIM），質(zhì)值能讓電力電子應(yīng)用實(shí)現(xiàn)一致性的得信散熱性能。

絕緣柵雙極晶體管（IGBT)功率模塊具有快速開(kāi)關(guān)能力和高電壓容量，太原在各種應(yīng)用中得到越來(lái)越多的格專運(yùn)用。陶氏粘合劑有機(jī)硅解決方案可密封并保護(hù)先進(jìn)的業(yè)品印刷電路板組裝系統(tǒng)，這些系統(tǒng)可在變速驅(qū)動(dòng)器、質(zhì)值太陽(yáng)能逆變器、得信風(fēng)能轉(zhuǎn)換器、不間斷電源、動(dòng)力傳輸系統(tǒng)、電動(dòng)汽車、鐵路和海運(yùn)等具有挑戰(zhàn)性的應(yīng)用中驅(qū)動(dòng)IGBT。

GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

IGBT模塊主要用于變頻器逆變和其他逆變電路。將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的交流電。它有陰極，陽(yáng)極，和控制極。關(guān)斷的時(shí)候其阻抗是非常大的基本是斷路，接通的時(shí)候存在很小的電阻，通過(guò)接通或斷開(kāi)控制極來(lái)控制陰極和陽(yáng)極之間的接通和關(guān)斷。