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IGBT模塊的保定適用功率小至幾百瓦，高至數(shù)兆瓦。格正規(guī)機(jī)構(gòu)性這些產(chǎn)品可用于通用驅(qū)動器、保定牽引、格正規(guī)機(jī)構(gòu)性伺服裝置和可再生能源發(fā)電（如光伏逆變器或風(fēng)電應(yīng)用）等應(yīng)用，保定具有高可靠性、格正規(guī)機(jī)構(gòu)性出色性能、保定率和使用壽命長的格正規(guī)機(jī)構(gòu)性優(yōu)勢。IGBT模塊采用預(yù)涂熱界面材料（TIM），保定能讓電力電子應(yīng)用實(shí)現(xiàn)一致性的格正規(guī)機(jī)構(gòu)性散熱性能。

GTR飽和壓降低，保定載流密度大，格正規(guī)機(jī)構(gòu)性但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，保定開關(guān)速度快，格正規(guī)機(jī)構(gòu)性但導(dǎo)通壓降大，保定載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動等領(lǐng)域。

按照封裝工藝來看，IGBT模塊主要可分為焊接式與壓接式兩類。高壓IGBT模塊一般以標(biāo)準(zhǔn)焊接式封裝為主，中低壓IGBT模塊則出現(xiàn)了很多新技術(shù)，如燒結(jié)取代焊接，壓力接觸取代引線鍵合的壓接式封裝工藝。

作為新型功率半導(dǎo)體器件的主流器件，IGBT已廣泛應(yīng)用于工業(yè)、4C（通信、計算機(jī)、消費(fèi)電子、汽車電子）、航空航天、國防軍工等傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，以及軌道交通、新能源、智能電網(wǎng)、新能源汽車等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。