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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，唐山絕緣柵雙極型晶體管，塊價靠是格品由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。

IGBT是質(zhì)優(yōu)一種適合高電壓、大電流應(yīng)用的良誠理想晶體管。IGBT的唐山額定電壓范圍為400V至2000V，額定電流范圍為5A至1000A，塊價靠IGBT廣泛用于工業(yè)應(yīng)用（例如，格品逆變器系統(tǒng)和不間斷電源（UPS））、質(zhì)優(yōu)消費類應(yīng)用（例如，良誠空調(diào)和電磁爐），唐山以及車載應(yīng)用（例如，塊價靠電動汽車（EV）電機控制器）。格品

IGBT模塊主要用于變頻器逆變和其他逆變電路。質(zhì)優(yōu)將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的良誠交流電。它有陰極，陽極，和控制極。關(guān)斷的時候其阻抗是非常大的基本是斷路，接通的時候存在很小的電阻，通過接通或斷開控制極來控制陰極和陽極之間的接通和關(guān)斷。

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡單講，是一個非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能，導(dǎo)通時可以看做導(dǎo)線，斷開時當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點，如驅(qū)動功率小和飽和壓降低等。