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IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，塊生絕緣柵雙極型晶體管，產(chǎn)多是年經(jīng)由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。

IGBT是驗口一種適合高電壓、大電流應(yīng)用的碑良理想晶體管。IGBT的塊生額定電壓范圍為400V至2000V，額定電流范圍為5A至1000A，產(chǎn)多IGBT廣泛用于工業(yè)應(yīng)用（例如，年經(jīng)逆變器系統(tǒng)和不間斷電源（UPS））、驗口消費類應(yīng)用（例如，碑良空調(diào)和電磁爐），塊生以及車載應(yīng)用（例如，產(chǎn)多電動汽車（EV）電機控制器）。年經(jīng)

作為新型功率半導(dǎo)體器件的驗口主流器件，IGBT已廣泛應(yīng)用于工業(yè)、碑良4C（通信、計算機、消費電子、汽車電子）、航空航天、國防軍工等傳統(tǒng)產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域，以及軌道交通、新能源、智能電網(wǎng)、新能源汽車等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)領(lǐng)域。

IGBT電路是負責變頻器功率輸出的部分。通常包含IGBT模塊和IGBT的觸發(fā)電路和電流反饋元件。觸發(fā)電路包含隔離變壓器、整流二極管、光耦隔離芯片，根據(jù)使用IGBT模塊型號，有些需使用配套的觸發(fā)驅(qū)動芯片以及保護電路。