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IGBT電路是天津負(fù)責(zé)變頻器功率輸出的部分。通常包含IGBT模塊和IGBT的塊生口碑觸發(fā)電路和電流反饋元件。觸發(fā)電路包含隔離變壓器、產(chǎn)擁整流二極管、有良光耦隔離芯片，天津根據(jù)使用IGBT模塊型號，塊生口碑有些需使用配套的產(chǎn)擁觸發(fā)驅(qū)動芯片以及保護(hù)電路。

IGBT模塊主要用于變頻器逆變和其他逆變電路。有良將直流電壓逆變成頻率可調(diào)的天津交流電。它有陰極，塊生口碑陽極，產(chǎn)擁和控制極。有良關(guān)斷的天津時(shí)候其阻抗是非常大的基本是斷路，接通的塊生口碑時(shí)候存在很小的電阻，通過接通或斷開控制極來控制陰極和陽極之間的產(chǎn)擁接通和關(guān)斷。

IGBT(絕緣柵雙極型晶體管），是由 BJT(雙極結(jié)型晶體三極管) 和 MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管) 組成的復(fù)合全控型-電壓驅(qū)動式-功率半導(dǎo)體器件,其具有自關(guān)斷的特征。簡單講，是一個非通即斷的開關(guān)，IGBT沒有放大電壓的功能，導(dǎo)通時(shí)可以看做導(dǎo)線，斷開時(shí)當(dāng)做開路。IGBT融合了BJT和MOSFET的兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，如驅(qū)動功率小和飽和壓降低等。

熱限制就是我們脈沖功率，時(shí)間比較短，它可能不是一個長期的工作點(diǎn)，可能突然增加，這個時(shí)候就涉及到另外一個指標(biāo)，動態(tài)熱阻，我們叫做熱阻抗。這個波動量會直接影響到IGBT的可靠性，就是壽命問題。你可以看到50赫茲波動量非常小，這個壽命才長。